Этапы развития кристаллических диодов

1833 г. Полупроводники открыты Фарадеем после ряда экспериментов.
В 1874 г. учёный Браун, первым пишет в статье об особенности полупроводников проводить ток только при одной полярности, что в принципе не соответствовало закону Ома. В то время ученый мир не заинтересовало это открытие.

vyprjamitelnyi-diod

Диод в пластмассовом корпусе КД247

7 мая 1895 г. Полупроводниковые свойства твердого тела применены А.С.Поповым в опытах регистрации электромагнитных волн.
1900 г. А.С.Попов создал первый в мире твёрдотельный детектор.
В 1906 г. учёный Пикард запатентовал детектор на кристалле полупроводника.
1907 г. Генри Роунд открывает светодиод описав явление свечения в контакте карборундового детектора.
1910 г. Физик Уильям Иккл впервые демонстрирует «Генерирующий детектор». Необычное свойство полупроводников опять же не заинтересовало ученых.
1922 г. После ряда опытов Лосев описал усиливающий и генерирующий детектор, указав, что нв вольт-амперной характеристике контакта кристаллов цинкита имеется круто-падающий N-образный участок.
Открытый Лосевым двухполюсник послужил первоосновой туннельного диода.
Экспериментально он подтвердил значительное усиливающее действие кристалла с цинкитом при использовании в качестве детектора в детекторном приёмнике, (в режиме, близком к генерации).
В 1923 г. Лосев получил патент на «Детекторный приемник-гетеродин» (Кристадин Лосева).
1924 г. Гетеродинный прием получил массовое применение и кристадин («кристалл гетеродин») стал очень популярен.
1922—1927 г.г. Грёндаль и Гейгер изобрели и разработали медно-закисные полупроводниковые диоды.
В 1930-е годы разработаны селеновые выпрямительные диоды на смену медно-закисным, как более совершенные.
1923 г, Лосев экспериментально открыл «электронные генераторы света» (светодиоды) и за высокую яркость предугадал перспективу их использования как источник света. Явление электролюминесценции на западе называли «свет Лосева». Лосеву первому выдан патент на изобретение «светового электролюминесцентного реле-прибора».
1936 г. Физик Жорж Дестрио также обнаруживает свечение («эффект Дестрио»), но автором открытия явления инжекционной люминесценции он считает Лосева.
1942 г. Начат промышленный выпуск кремниевых и германиевых точечных диодов.
1960-1969 г. Изделия из полупроводников внедряются во все отрасли народного хозяйства.
С 1970 года разработка и широкое использование полупроводниковых диодов различных типов: высокочастотные, СВЧ и импульсные диоды, варикапы, тиристоры, диодные матрицы, светодиоды и фотодиоды.
В настоящее время продолжается дальнейшее развитие полупроводниковых диодов с учетом современных требований (в том числе диоды в SMD-корпусах, светоизлучающие диоды, светодиодные матрицы).

На главную

46 комментариев

Оставить комментарий
  1. I like what you guys are up too. Such clever work and reporting!

    Keep up the excellent works guys I’ve incorporated you guys
    to my blogroll. I think it will improve the value of my site :
    ).

  2. I believe you have observed some very interesting points, thanks for the post.

  3. Terrific work! That is the kind of info that are meant to be shared around the net.
    Come on over and visit my site . Thank you =)

  4. Keep up the superb piece of work, I read few content on this
    website and I think that your weblog is really
    interesting and has bands of fantastic information.

  5. As I website possessor I believe the content matter here is rattling wonderful , appreciate it for your hard
    work. You should keep it up forever! Good Luck.

  6. Way cool! Some very valid points! I appreciate you penning this post and the rest
    of the site is also very good.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Капча загружается...